收藏本站
IRF7413QPbF
Q G
V DS
R D
- V DD
10V
V G
Q GS
Q GD
V GS
R G
10V
D.U.T.
+
Charge
Fig 9a. Basic Gate Charge Waveform
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
V DS
12V
.2 μ F
50K ?
.3 μ F
90%
- DS
V GS
D.U.T.
+
V
10%
V GS
3mA
t d(on)
t r
t d(off)
t f
I G
I D
Current Sampling Resistors
100
Fig 9b. Gate Charge Test Circuit
D = 0.50
Fig 10b. Switching Time Waveforms
10
0.20
0.10
0.05
0.02
P DM
1
0.01
t 1
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
t 2
0.1
0.0001
0.001
0.01
0.1
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
1                 10
100
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRF7416QTRPBF MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
IRF7421D1TR MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
IRF7422D2TR MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
IRF7452QTRPBF MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
IRF7452TR MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
IRF7457TR MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC
IRF7459TRPBF MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
IRF7459TR MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
相关代理商/技术参数
IRF7413TR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
IRF7413TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13A 11mOhm 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7413TRPBF-CUT TAPE 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 30 V 2.5 W 52 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
IRF7413Z 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7413ZGTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13A 10mOhm 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7413ZHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC
IRF7413ZPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7413ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件